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2SD716	文件：135.39 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3P(I) package ·Complement to type 2SB686 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 30~35W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：135.39 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD716	文件：125.57 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3P(I) package ·Complement to type 2SB686 APPLICATIONS ·Power amplifier applications ·Recommend for 30~35W high fidelity audio frequency amplifier output stage 文件：125.57 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD716	文件：89.83 Kbytes Page：1 Pages	SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) GENERAL DESCRIPTION Silicon NPN high frequency, high power transistors in a plastic envelope, primarily for use in audio and general purpose 文件：89.83 Kbytes 页数：1 Pages	WINGS 永盛电子	WINGS
2SD716	文件：300 bytes Page：1 Pages	音频功放晶体管	THUNDER 中科创达	THUNDER
2SD716	文件：300 bytes Page：1 Pages	三极管	Mospec 统懋	Mospec

晶体管资料

型号：
2SD716
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
HIFI_低频或音频放大（LF）_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
12MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD245C,BDV95,TIP33C,2SC2681,2SD895,2SD896,3DA8D,
最大耗散功率：
60W
放大倍数：
图片代号：
B-46
vtest：
100
htest：
12000000
atest：
6
wtest：
60

技术参数

VCBO(V)：
100
VCEO(V)：
100
PD(W)：
60
PACKAGE：
TO-3P
NPN：
2SD716
PNP：
2SB686
HFE(Min/Max)：
55/160
IC/VCE(A/V)：
1.0/5.0
VCE(SAT)(V)：
2.0
IC/IB(A/mA)：
4.0/400

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