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2SD669A-C	文件：414.34 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Capableof1WattsofPowerDissipation. •Collector-current1.5A •Collector-baseVoltage180V •	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SD669A-C	文件：300 bytes Page：1 Pages	中等功率双极型晶体管;	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SD669A-C-AA3-K	文件：77.11 Kbytes Page：5 Pages	BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPNSILICONTRANSISTOR APPLICATIONS *LowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwithUTC2SB649/A	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD669A-C-AA3-R	文件：77.11 Kbytes Page：5 Pages	BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPNSILICONTRANSISTOR APPLICATIONS *LowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwithUTC2SB649/A	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD669A-C-AA3-T	文件：77.11 Kbytes Page：5 Pages	BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPNSILICONTRANSISTOR APPLICATIONS *LowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwithUTC2SB649/A	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
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技术参数

Product Polarity：
NPN
SMD/ThroHole：
Through Hole
VCEO (V)：
160
VCBO (V)：
180
VEBO (V)：
5.0
IC (A)：
1.5
PC (W)：
1.0
HFE：
100-200
@IC (mA)：
150
@VCE (V)：
5.0
ICBO：
10 µA
IEBO：
10 µA
VCE(sat) (V)：
1.0
VBE(sat) (V)：
1.5
FT (MHz)：
140
Package Qty：
Tube
FIT：
48; Tj=100℃

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD669A-C供应商更新时间2025-7-29 17:44:00

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