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2SD669-D	文件：414.34 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor Features • Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note1) (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating • Moisure Sensitivity Level 1 • Capable of 1 Watts of Power Dissipation. • Collector-current 1.5A • Collector-base Voltage 180V • 文件：414.34 Kbytes 页数：2 Pages	MCC	MCC
2SD669-D-AA3-K	文件：77.11 Kbytes Page：5 Pages	BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON TRANSISTOR APPLICATIONS * Low frequency power amplifier complementary pair with UTC 2SB649/A 文件：77.11 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD669-D-AA3-R	文件：77.11 Kbytes Page：5 Pages	BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON TRANSISTOR APPLICATIONS * Low frequency power amplifier complementary pair with UTC 2SB649/A 文件：77.11 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD669-D-AA3-T	文件：77.11 Kbytes Page：5 Pages	BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON TRANSISTOR APPLICATIONS * Low frequency power amplifier complementary pair with UTC 2SB649/A 文件：77.11 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD669-D-AB3-K	文件：77.11 Kbytes Page：5 Pages	BIPOLAR POWER GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON TRANSISTOR APPLICATIONS * Low frequency power amplifier complementary pair with UTC 2SB649/A 文件：77.11 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
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技术参数

Product Polarity：
NPN
SMD/ThroHole：
Through Hole
VCEO (V)：
120
VCBO (V)：
180
VEBO (V)：
5.0
IC (A)：
1.5
PC (W)：
1.0
HFE：
160-320
@IC (mA)：
150
@VCE (V)：
5.0
ICBO：
10 µA
IEBO：
10 µA
VCE(sat) (V)：
1.0
VBE(sat) (V)：
1.5
FT (MHz)：
140
Package Qty：
Tube
FIT：
48; Tj=100℃

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏和科技有限公司	2SD669-D	UTC	24+	TO-126	5000	全现原装公司现货	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	2SD669G-B-AA3-R	UTC/友顺	2022+	SOT-223	32500	原厂代理终端免费提供样品	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	2SD669G-B-AA3-R	UTC/友顺	20+	SOT-223	32500	现货很近!原厂很远!只做原装	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	2SD669G-B-AA3-R	NK/南科功率	2025+	SOT-223	986966	国产	询价
深圳市盈慧通电子有限公司	2SD669G-B-AA3-R	UTC/友顺	2511	SOT-223	360000	电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价	询价
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更多2SD669-D供应商更新时间2026-3-14 10:20:00

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