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2SD581

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage : V(BR)CEO = 100V(Min.) ·Collector-Emitter Saturation Voltage : VCE(sat)= 1.5V(Max.)@ IC= 5A APPLICATIONS ·Designed for 40~60W audio amplifier power output applications.

文件:221.32 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SD596-T1B

SOT89

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

2SD667L-C

TO-92NL

UTC/友顺

2SD669AG-C

SOT-89

UTC/友顺

2SD669AG-C-AB3-R

SOT89 T/R

晶体管资料

  • 型号:

    2SD581(A)

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    150V

  • 最大电流允许值:

    7A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BDX11,2N5631,2SD675,2SD751,2SD1046,3DD162B,

  • 最大耗散功率:

    60W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    150

  • htest:

    999900

  • atest:

    7

  • wtest:

    60

详细参数

  • 型号:

    2SD581

  • 制造商:

    ISC

  • 制造商全称:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述:

    Silicon NPN Power Transistor

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更多2SD581供应商 更新时间2026-1-17 10:20:00