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2SD424

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION · With TO-3 package · Complement to type 2SB554 · High power dissipation · High collector-emitter breakdown voltage : VCEO=180V(min) APPLICATIONS · Power amplifier applications

文件:133.68 Kbytes 页数:3 Pages

ISC

无锡固电

2SD424

Silicon NPN Power Transistors

Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·Complement to type 2SB554 ·High power dissipation ·High collector-emitter breakdown voltage :VCEO=180V(min) APPLICATIONS ·Power amplifier applications

文件:113.04 Kbytes 页数:3 Pages

SAVANTIC

2SD424

HIGH-POWER NPN SILICON POWER TRANSISTORS

文件:43.45 Kbytes 页数:2 Pages

MOSPEC

统懋

2SD424

150W NPN Medium Power BJT Transistor

This BJT is packaged in TO-3 package.\n\n Available as High Reliability device per MIL-PRF-19500 indicate –HR suffix after the part number. Contact for -HR flow. Add \"PBF\" suffix for Pb-free lead finish.

Digitron

2SD424

三极管

Mospec

统懋

晶体管资料

  • 型号:

    2SD424

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    HIFI_低频或音频放大 (LF)_输出极 (E)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    180V

  • 最大电流允许值:

    15A

  • 最大工作频率:

    5MHZ

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

    BDW12,BU210,BUY23,BUY74,BUY85,MJ15015,2N3773,2SC2607,2SC2608,3DD168C,

  • 最大耗散功率:

    150W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    180

  • htest:

    5000000

  • atest:

    15

  • wtest:

    150

技术参数

  • VCBO (V):

    180

  • VCEO (V):

    180

  • PD (W):

    150

  • PACKAGE:

    TO-3

  • NPN:

    2SD424

  • PNP:

    2SB554

  • HFE (Min/Max):

    40/140

  • IC/VCE (A/V):

    2.0/5.0

  • VCE(SAT) (V):

    3.0

  • IC / IB (A/mA):

    10/1A

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更多2SD424供应商 更新时间2026-1-17 18:54:00