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2SD414	文件：134.69 Kbytes Page：4 Pages	PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS FEATURES • Ideal for audio amplifier drivers with 30 W to 50 W output • High voltage • Available for small mount spaces due to small and thin package • Easy to be attached to radiators 文件：134.69 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
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2SD416	文件：36.73 Kbytes Page：1 Pages	2SD416 NPN Transistor 文件：36.73 Kbytes 页数：1 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SD414	文件：212.01 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：212.01 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD414	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 80V 0.8A 3-Pin TO-126	NJS	NJS
2SD415	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Power Transistors	Renesas 瑞萨	Renesas
2SD415A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Power Transistors	Renesas 瑞萨	Renesas

晶体管资料

型号：
2SD414
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
0.8A
最大工作频率：
45MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD127,BD157,BD232,BD410,2SC2690,2SC2690A,2SD1382,2SD1563,2SD1563A,3DA013B,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
B-21
vtest：
120
htest：
45000000
atest：
0.8
wtest：
10

技术参数

NPN/PNP：
NPN
Vcbo (V)：
100
VCEO (V)：
80
Vebo (V)：
5
IC (A) @25 °C：
0.8
VCE(sat) (V) max.：
2
hFE min.：
40
hFE max.：
320
fT (MHz) typ.：
70
Cob (pF) typ.：
25
Package Type：
MP-5
Production Status：
EOL announced

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