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2SD2661	文件：300 bytes Page：1 Pages	Low VCE(sat) Transistor Low VCE(sat)晶体管;	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2661	文件：65.51 Kbytes Page：3 Pages	丝印：FW；Package：SOT-89；Low frequency amplifier transistor(12V,2A) Features Low VCE(sat)≦180mV (IC/IB=1A/50mA) Application LOW FREQUENCY AMPLIFIER 文件：65.51 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2661T100	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 12V 2A MPT3	ROHM 罗姆	ROHM
2SD315AI-33	文件：0 bytes Page：0 Pages	模块	CONCEPT 上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司	CONCEPT
2SD596-T1B	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT89	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS

技术参数

封装：
MPT3
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-89
JEITA Package：
SC-62
Number of terminal：
3
Polarity：
NPN
Collector Power dissipation PC[W]：
0.5
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
12
Collector current Io(Ic) [A]：
2
hFE：
270 to 680
hFE (Min.)：
270
hFE (Max.)：
680
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
4.5x4 (t=1.5)

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