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2SD2654E3	文件：1.78245 Mbytes Page：9 Pages	丝印：BJ；Package：SOT-416；General purpose Transistor (50V, 150mA) Features 1)High DC current gain. 2)High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3)Low saturation voltage. 　 (Max.VCE(sat)=300mV at IC/IB=50/5mA) Application LOW FREQUENCY AMPLIFIER, DRIVER 文件：1.78245 Mbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2654E3	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN, SOT-416, 50V 150mA, General Purpose Transistor The NPN general purpose transistor 2SD2654E3 is designed for low frequency amplifiers. • High DC current gain.\n• High emitter-base voltage. (VCBO=12V)\n• Low saturation voltage.\n(Max.VCE(sat)=300mV at IC/IB=50/5mA);	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2654E3TLV	文件：1.78245 Mbytes Page：9 Pages	General purpose Transistor (50V, 150mA) Features 1)High DC current gain. 2)High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3)Low saturation voltage. 　 (Max.VCE(sat)=300mV at IC/IB=50/5mA) Application LOW FREQUENCY AMPLIFIER, DRIVER 文件：1.78245 Mbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD315AI-33	文件：0 bytes Page：0 Pages	模块	CONCEPT 上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司	CONCEPT
2SD596-T1B	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT89	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS

技术参数

封装：
EMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-416
JEITA Package：
SC-75A
Number of terminal：
3
Polarity：
NPN
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
50
Collector current Io(Ic) [A]：
0.15
hFE：
820 to 2700
hFE (Min.)：
820
hFE (Max.)：
2700
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
1.6x1.6 (t=0.7)

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更多2SD2654E3供应商更新时间2025-12-15 14:38:00

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