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2SD2387

NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = 140 V (min) • Complementary to 2SB1558

文件:138.66 Kbytes 页数:2 Pages

TOSHIBA

东芝

2SD2387

Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington power transistor) Power Amplifier Applications

Toshiba

东芝

2SD2403-T1

SOT89

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

2SD315AI-33

模块

CONCEPT

2SD596-T1B

SOT89

RENESAS

瑞萨

上传:深圳市正纳电子有限公司

晶体管资料

  • 型号:

    2SD2387

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl

  • 性质:

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    140V

  • 最大电流允许值:

    8A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BDV67C,BDV67D,2SD1210,

  • 最大耗散功率:

    80W

  • 放大倍数:

    β>5000

  • 图片代号:

    B-46

  • vtest:

    140

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    80

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2SD2387供应商 更新时间2026-1-17 9:04:00