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2SD2440	文件：168.03 Kbytes Page：3 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (SWITHCING APPLICATIONS) Switching Application High breakdown voltage: VCBO = 100 V : VEBO = 18 V Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.2 V (max) (IC = 5 A, IB = 1 A) High speed: tf = 1 µs (typ.) (IC = 5 A, IB = ±0.5 A) High DC current gain: hFE = 200 (min) (VCE = 5 V, IC 文件：168.03 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2441	文件：36.08 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency output amplification) Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency output amplification ■ Features ● Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine packing. 文件：36.08 Kbytes 页数：2 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
2SD2441	文件：49 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Type Features ● Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine packing. 文件：49 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD2444K	文件：35.61 Kbytes Page：1 Pages	Power Transistor Features ● IC = 1A. ● Low saturation voltage. 文件：35.61 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD2444K	文件：1.64723 Mbytes Page：7 Pages	Power Transistor (15V,1A) Features 1)Low saturation voltage, 　 VCE(sat)=0.3V(Max.) at IC/IB=400mA/20mA 2)IC=1A. 3)Complements the 2SB1590K. Application LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER 文件：1.64723 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2444K	文件：69.33 Kbytes Page：3 Pages	丝印：BSR；Package：SOT-346；Power Transistor (15V, 1A) Features 1) Low saturation voltage, VCE(sat)=0.3V(Max.) at IC/IB=400mA/20mA 2) IC=1A. 3) Complements the 2SB1590K. Application LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER 文件：69.33 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2444K_V01	文件：1.64723 Mbytes Page：7 Pages	Power Transistor (15V,1A) Features 1)Low saturation voltage, 　 VCE(sat)=0.3V(Max.) at IC/IB=400mA/20mA 2)IC=1A. 3)Complements the 2SB1590K. Application LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER 文件：1.64723 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2444KT146R	文件：1.64723 Mbytes Page：7 Pages	Power Transistor (15V,1A) Features 1)Low saturation voltage, 　 VCE(sat)=0.3V(Max.) at IC/IB=400mA/20mA 2)IC=1A. 3)Complements the 2SB1590K. Application LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER 文件：1.64723 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2449	文件：137.74 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE Power Amplifier Applications ● High breakdown voltage: VCEO = 160 V (min) ● Complementary to 2SB1594 文件：137.74 Kbytes 页数：2 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2449	文件：248.73 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 160V(Min) ·High DC Current Gain-: hFE= 3000( Min.) @(IC= 8A, VCE= 5V) ·Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 3.0V(Max)@ (IC= 8A, IB= 8mA) B ·Complement to Type 2SB1594 APPLICATIONS ·Designed for power amplifie 文件：248.73 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2SD2441
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）_LO_SAT
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
10V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
190MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3982,2SC3443,2SD1621,
最大耗散功率：
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
10
htest：
190000000
atest：
1.5
wtest：
0

详细参数

型号：
2SD244
功能描述：
TRANS NPN LF 10VCEO 1.5A MINIPWR
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
系列：
-
标准包装：
1
晶体管类型：
NPN 电流 -
集电极(Ic)（最大）：
1A 电压 -
集电极发射极击穿（最大）：
30V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：
200mV @ 100mA，1A 电流 -
集电极截止（最大）：
100nA 在某 Ic、Vce
时的最小直流电流增益(hFE)：
300 @ 500mA，5V 功率 -
最大：
710mW 频率 -
转换：
100MHz
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
包装：
Digi-Reel®
其它名称：
MMBT489LT1GOSDKR

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更多2SD244供应商更新时间2025-12-20 14:14:00

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