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2SD2462	文件：191.53 Kbytes Page：3 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (POWER AMPLIFIER APPLICATIONS) Power Amplifier Applications • High DC current gain: hFE (1) = 800 to 3200 (VCE = 5 V, IC = 0.2 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 0.4 V (typ.) (IC = 1 A, IB = 10 mA) • Complementary to 2SB1602 文件：191.53 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2462	文件：135.01 Kbytes Page：5 Pages	Power Amplifier Applications 文件：135.01 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD2462	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications	Toshiba 东芝	Toshiba
2SD2462_06	文件：135.01 Kbytes Page：5 Pages	Power Amplifier Applications 文件：135.01 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

晶体管资料

型号：
2SD2462
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
HI_BETA
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1694,
最大耗散功率：
1.3W
放大倍数：
β>800
图片代号：
G-221
vtest：
60
htest：
999900
atest：
2
wtest：
1.3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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