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High-currentgainPowerTransistor(60V,3A) Features 1)HighDCcurrentgain. 2)Lowsaturationvoltage. (Typ.VCE(sat)=0.5VatIC/IB=2A/0.5A) | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
High-currentgainPowerTransistor Features ●HighDCcurrentgain. ●Lowsaturationvoltage. | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
High-currentgainPowerTransistor(60V,3A) Features 1)HighDCcurrentgain. 2)Lowsaturationvoltage. (Typ.VCE(sat)=0.5VatIC/IB=2A/0.5A) 3)Complementsthe2SB1639. | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
High-currentgainPowerTransistor(-60V,-3A) 2SB1639(-60V,-3A) 2SD2318,2SD1944(60V,3A) HighDCcurrentgain. | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM |
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