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2SD2256	文件：36.87 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Features • High breakdown voltage and high current (VCEO = 120 V, IC = 25 A) • Built-in C-E diode Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB1494 文件：36.87 Kbytes 页数：6 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD2256	文件：75.88 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor DESCRIPTION • High DC Current Gain : hFE= 2000(Min.)@ IC= 12A, VCE= 4V • High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = 120V(Min) APPLICATIONS • Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：75.88 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2256	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon NPN Darlington Transistor	HITACHI 日立	HITACHI
2SD2403-T1	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT89	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS
2SD315AI-33	文件：0 bytes Page：0 Pages	模块	CONCEPT 上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司	CONCEPT

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中天科工半导体（深圳）有限公司	2SD2256	HITACHI/日立	25+	TO-3P	45000	HITACHI/日立全新现货2SD2256即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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