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2SD2150-S	文件：583.81 Kbytes Page：3 Pages	丝印：CFS*；Package：SOT-89；NPN Transistors ■ Features ● Excellent current-to-gain characteristics ● Low collector saturation voltage VCE(sat) ● Complementary to 2SB1412 文件：583.81 Kbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SD2150-SOT89	文件：2.53303 Mbytes Page：3 Pages	NPN Transistors ■ Features ● Excellent current-to-gain characteristics ● Low collector saturation voltage VCE(sat) ● Complementary to 2SB1412 文件：2.53303 Mbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
2SD2150-SOT-89	文件：24.22 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR NPN) TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM : 0.5 W Tamb=25°C Collector current ICM : 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 40 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55°C to +150°C 文件：24.22 Kbytes 页数：1 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SD2150T100R	文件：113.77 Kbytes Page：3 Pages	Low Frequency Transistor (20V, 3A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.2V(Typ.) （ IC / IB = 2A / 0.1A） 2) Excellent current gain characteristics. 3) Complements the 2SB1424. 文件：113.77 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2150T100S	文件：113.77 Kbytes Page：3 Pages	Low Frequency Transistor (20V, 3A) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.2V(Typ.) （ IC / IB = 2A / 0.1A） 2) Excellent current gain characteristics. 3) Complements the 2SB1424. 文件：113.77 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2150_09	文件：313.36 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor 文件：313.36 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD2150_09	文件：167.26 Kbytes Page：3 Pages	Low Frequency Transistor (20V, 3A) 文件：167.26 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2150_15	文件：313.36 Kbytes Page：2 Pages	NPN Plastic Encapsulated Transistor 文件：313.36 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD2150_15	文件：1.18967 Mbytes Page：2 Pages	NPN Transistors 文件：1.18967 Mbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD2150-R	文件：1.18967 Mbytes Page：2 Pages	NPN Transistors 文件：1.18967 Mbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

晶体管资料

型号：
2SD2150
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
290MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC2873,2SD1119,2SD1624,2SD1952,2SD2185,
最大耗散功率：
0.75W
放大倍数：
图片代号：
H-100
vtest：
40
htest：
290000000
atest：
3
wtest：
0.75

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
MPT3
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOT-89
JEITA Package：
SC-62
Package Size[mm]：
4.5x4.0 (t=1.5)
Number of terminal：
3
Polarity：
NPN
Collector Power dissipation PC[W]：
0.5
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
20.0
Collector current Io(Ic) [A]：
3.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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