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2SD2115	文件：145.39 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Application Low frequency power amplifier 文件：145.39 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2115	文件：271.08 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 150(Min)@ IC= 1.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：271.08 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2115	文件：252.04 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 150(Min)@ IC= 1.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：252.04 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2115	文件：55.8 Kbytes Page：2 Pages	Power Bipolar Transistors 文件：55.8 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SD2115-251	文件：271.08 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 150(Min)@ IC= 1.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：271.08 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2115-252	文件：252.04 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 60V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 150(Min)@ IC= 1.5A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：252.04 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2115L	文件：145.39 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar Application Low frequency power amplifier 文件：145.39 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD2115L	文件：31.43 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar(Low frequency power amplifier) Application Low frequency power amplifier 文件：31.43 Kbytes 页数：5 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD2115S	文件：31.43 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Planar(Low frequency power amplifier) Application Low frequency power amplifier 文件：31.43 Kbytes 页数：5 Pages	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

晶体管资料

型号：
2SD2115L,S
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
150V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC4135,2SD1033,2SD1221,2SD1557,
最大耗散功率：
18W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
150
htest：
999900
atest：
2
wtest：
18

技术参数

VCEO (V)：
60
Production Status：
EOL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SD2115	RENESAS瑞萨/HITACHI日立	24+	TO-252	6414	新进库存/原装	询价
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更多2SD2115供应商更新时间2025-12-20 16:30:00

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