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2SD2061	文件：1.42981 Mbytes Page：4 Pages	丝印：2SD2061；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Saturation Voltage Excellent DC Current Gain Characteristice 文件：1.42981 Mbytes 页数：4 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SD2060	文件：249.26 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Complement to type 2SB1368 ·Low collector saturation voltage: VCE(SAT)=1.7V(Max) at IC=3A,IB=0.3A ·Collector power dissipation: PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS ·With general purpose applications 文件：249.26 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD2060	文件：193.78 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Complement to type 2SB1368 ·Low collector saturation voltage: VCE(SAT)=1.7V(Max) at IC=3A,IB=0.3A ·Collector power dissipation: PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS ·With general purpose applications 文件：193.78 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2060	文件：51.75 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Complement to type 2SB1368 ·Low collector saturation voltage:VCE(SAT)=1.7V(Max) at IC=3A,IB=0.3A ·Collector power dissipation: PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS ·With general purpose applications 文件：51.75 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SD2061	文件：82.5 Kbytes Page：2 Pages	TO-220F Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low saturation voltage Excellent DC current gain characteristice 文件：82.5 Kbytes 页数：2 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SD2061	文件：113.53 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Low saturation voltage ·Excellent DC current gain characteristics ·Wide safe operating area APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications 文件：113.53 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SD2061	文件：138.07 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Low collector saturation voltage ·Excellent DC current gain characteristics ·Wide safe operating area APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications 文件：138.07 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD2061	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	丝印：C7；Package：TO-220FP；TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE) 文件：91.07 Kbytes 页数：1 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD2061	文件：111.05 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Low collector saturation voltage ·Excellent DC current gain characteristics ·Wide safe operating area APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications 文件：111.05 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD2062	文件：69.12 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTORS TO-220 class high output power package with Pc 60 to 100W. 文件：69.12 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

晶体管资料

型号：
2SD2061
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
绝缘（Iso）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
8MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3691,2SC3851,2SD1266,2SD1405,2SD1585,2SD2000,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-45
vtest：
80
htest：
8000000
atest：
3
wtest：
40

技术参数

Polarity：
NPN
PCM(W)：
2
IC(A)：
3
VCBO(V)：
80
VCEO(V)：
60
VEBO(V)：
5
hFEMin：
100
hFEMax：
320
hFE@VCE(V)：
5
hFE@IC(A)：
0.5
VCE(sat)(V)：
1
VCE(sat)@IC(A)：
2
VCE(sat)@IB(A)：
0.2
Package：
TO-220F

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市益百分电子有限公司	2SD2061	蓝箭	TO220F	2000000	2012		询价
深圳市华来深电子有限公司	2SD2061	ROHM	25+	SMD	20000	专做罗姆，一系列可以订货排单，只做原装正品假一罚十	询价
深圳市一线半导体有限公司	2SD2061		24+	TO-220	5000		询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	2SD2061	ROHM	23+	TO220	4500	绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购!	询价
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深圳市弘为电子有限公司	2SD2061	ROHM	24+	原厂封装	2500	原装现货假一罚十	询价
深圳市利加科技有限公司	2SD2061	TOS	16+	TO-220	10000	全新原装现货	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	2SD2061	ROHM	23+	TO220	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市勤思达科技有限公司	2SD2061	ROHM	1215+	TO-220	150000	全新原装,绝对正品,公司大量现货供应.	询价
深圳市壹芯创科技有限公司	2SD2061	ROHM	22+	TO-220	10038	进口原装	询价

更多2SD206供应商更新时间2025-12-25 9:31:00

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