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2SD2012

NPNSILICONPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION The2SD2012isasiliconNPNpowertransistorhousedinTO-220Finsulatedpackage.Itisintededforpowerlinearandswitchingapplications. ■HIGHDCCURRENTGAIN ■LOWSATURATIONVOLTAGE ■INSULATEDPACKAGEFOREASYMOUNTING APPLICATIONS ■GENERALPURPOSEPOWERAMPLIFIERS ■G

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

2SD2012

NPNTRIPLEDIFFUSEDTYPE(AUDIOFREQUENCYPOWERAMPLIFIERAPPLICATIONS)

AudioFrequencyPowerAmplifierApplications •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(typ.)(IC=2A/IB=0.2A) •Highpowerdissipation:PC=25W(Tc=25°C)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

2SD2012FM

AudioFrequencyPowerAmplifierApplications

AudioFrequencyPowerAmplifierApplications •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(typ.)(IC=2A/IB=0.2A) •Highpowerdissipation:PC=25W(Tc=25°C)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

详细参数

  • 型号:

    2SD2012,F(J

  • 制造商:

    Toshiba

  • 功能描述:

    The same specification as 2SD2012(F) Bulk

  • 功能描述:

    0

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TOS
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SMD
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TOSHIBA/东芝
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TO220
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TO220F
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更多2SD2012,F(J供应商 更新时间2025-5-29 18:02:00