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2SD2012	文件：1.49978 Mbytes Page：4 Pages	TO-220-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES HighDCCurrentGain LowSaturationVoltage HighPowerDissipation	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SD2012	文件：1.01355 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-220FPlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-220FPlasticPackage. Features LowVCE(sat),Hightotalpowerdissipation,complementarypairwith2SB1375. Applications Audiofrequencypoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SD2012	文件：205.36 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD2012	文件：1.2258 Mbytes Page：3 Pages	TO-220FPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Audiofrequencypoweramplifierapplications ●HighDCcurrentgain ●Lowsaturationvoltage ●Highpowerdissipation	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SD2012	文件：83.58 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Fpackage ·Complementtotype2SB1366 ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Collectorpowerdissipation:PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS ·Audiofrequencypoweramplifierandgeneralpurposeswitchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD2012	文件：795.84 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconPowerTransistors Features ·HighDCCurrentGain:hFE(1)=100(Min.) ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.0V(Max.) ·HighPowerDissipation:PC=25W(TC=25OC) ·LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ·EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ·	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SD2012	文件：133.1 Kbytes Page：5 Pages	AudioFrequencyPowerAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SD2012	文件：203.78 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-220Fpackage ·Complementtotype2SB1366 ·Lowcollectorsaturationvoltage ·Collectorpowerdissipation:PC=25W(TC=25℃) APPLICATIONS ·Audiofrequencypoweramplifierandgeneralpurposeswitchingapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD2012	文件：131.47 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNTripleDiffusedType	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SD2012	文件：127.21 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONPOWERTRANSISTOR	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
2SD2012,F(J
制造商：
Toshiba
功能描述：
The same specification as 2SD2012(F) Bulk
功能描述：
0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市安富世纪电子有限公司	2SD2012/D2012	TOSHIBA/东芝	23+	TO220	6500	专注配单,只做原装进口现货	询价
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更多2SD2012,F(J供应商更新时间2025-5-28 17:01:00

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