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2SD1950-T1-AZ	文件：1.73326 Mbytes Page：6 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORPOWERMINIMOLD DESCRIPTION The2SD1950isdesignedforgeneral-purposeapplicationsrequiringHighDCCurrentGain. Thisissuitableforallkindofdrivingormuting. FEATURES ●HighDCCurrentGainandGoodhFElinearity. hFE=800to3200(VCE=5.0V,IC=1.0A) ●LowCollectorSaturationVoltage.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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2SD1950-T1-AZ

文件：1.73326 Mbytes

Page：6 Pages

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORPOWERMINIMOLD

DESCRIPTION The2SD1950isdesignedforgeneral-purposeapplicationsrequiringHighDCCurrentGain. Thisissuitableforallkindofdrivingormuting. FEATURES ●HighDCCurrentGainandGoodhFElinearity. hFE=800to3200(VCE=5.0V,IC=1.0A) ●LowCollectorSaturationVoltage.

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瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

详细参数

型号：
2SD1950-T1-AZ(VK)
制造商：
Renesas Electronics
功能描述：
NPN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD1950-T1-AZ(VK)供应商更新时间2024-5-24 10:20:00

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