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2SD1899-K	文件：661.39 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Capableof1.0WattsofPowerDissipation. •Collector-current3.0A •Collector-baseVoltage60V •Operatingandstoragejuncti	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SD1899L	文件：1.08974 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrentandhighfT,excellentlinearityofhFE,fastswitchingtime. Applications Relaydrivers,high-speedinverters,generalhigh-currentswitchingapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SD1899-L	文件：661.39 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Capableof1.0WattsofPowerDissipation. •Collector-current3.0A •Collector-baseVoltage60V •Operatingandstoragejuncti	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SD1899-M	文件：661.39 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistor Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •Capableof1.0WattsofPowerDissipation. •Collector-current3.0A •Collector-baseVoltage60V •Operatingandstoragejuncti	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SD1899-Z	文件：997.37 Kbytes Page：3 Pages	TO-251-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●HighhFE ●LowVCE(sat)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SD1899-Z	文件：275.97 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Lowcollectorsaturationvoltage •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Hightransitionfrequencyapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1899-Z	文件：1.35878 Mbytes Page：7 Pages	SILICONPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION The2SD1899-ZisdesignedforAudioFrequencyAmplifierandSwitching,especiallyinHybridIntegratedCircuits. FEATURES •HighhFE:hFE=100to400 •LowVCE(sat):VCE(sat)≤0.25V	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD1899-Z	文件：43.58 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistor Features ●LowVCE(sat). ●HighhFE.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1899-Z	文件：56.9 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SD1899-Z	文件：56.33 Kbytes Page：1 Pages	TO-252Plastic-EncapsulatedTransistors FEATURES Powerdissipation PCM:2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:3A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL

晶体管资料

型号：
2SD1899(Z)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
120MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3386,2SD1221,2SD1252,2SD1760,2DS1802,2DS1815,2SD1816,
最大耗散功率：
10W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
60
htest：
120000000
atest：
3
wtest：
10

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市振宏微科技有限公司	2SD1899,GDZ3.3B,RB491DT146	TO-252	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
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