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2SD1782L-Q-AE3-R	文件：90.47 Kbytes Page：3 Pages	POWER NPN TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD1782isanNPNsilicontransistor.itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithhighcollector-emitterbreakdownvoltage,lowcollector-emittersaturationvoltageandhighDCcurrentgain,etc. FEATURES Highcollector-emitterbreakdownvoltage Lowcoll	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD1782L-R-AE3-R	文件：90.47 Kbytes Page：3 Pages	POWER NPN TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD1782isanNPNsilicontransistor.itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithhighcollector-emitterbreakdownvoltage,lowcollector-emittersaturationvoltageandhighDCcurrentgain,etc. FEATURES Highcollector-emitterbreakdownvoltage Lowcoll	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD1782	文件：571.13 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVCE(sat) ●HighBVCEO ●Complementsthe2SB1198	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SD1782	文件：90.47 Kbytes Page：3 Pages	POWERNPNTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD1782isanNPNsilicontransistor.itusesUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithhighcollector-emitterbreakdownvoltage,lowcollector-emittersaturationvoltageandhighDCcurrentgain,etc. FEATURES Highcollector-emitterbreakdownvoltage Lowcoll	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD1782	文件：1.2037 Mbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowVCE(sat) HighBVCEO Complementsthe2SB1198	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SD1782	文件：921.63 Kbytes Page：9 Pages	Low-powerpyroelectricinfraredsensorsignalprocessingchip ProductOverview HM4002isalow-powerpyroelectricinfraredsensorsignalprocessingchip,whichcanbematchedwithinfraredsensorunitSimpleloadsensingON/OFFanddelaytimingfunctioncontrol;atthesametime,thechipbuilt-inhigh-precisionstableLDO2.6VoutputcanprovideRedpower	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
2SD1782K	文件：36.87 Kbytes Page：1 Pages	PowerTransistor Features ●LowVCE(sat).VCE(sat)=0.2V(Typ.)(IC/IB=0.5A/50mA) ●HighVCEO,VCEO=80V.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1782K	文件：80.37 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(80V,0.5A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.2V(Typ.) (IC/IB=0.5A/50mA) 2)HighVCEO,VCEO=80V 3)Complementsthe2SB1198K.	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1782K	文件：67.37 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(80V,0.5A)	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1782K	文件：767.25 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features Highbreakdown,lowVCE(sat),complementsthe2SB1198K. Applications Mediumpoweramplifierapplications.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SD1782SQ	文件：1.38832 Mbytes Page：4 Pages	NPNTransistor	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI

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