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2SD1782L-Q-AE3-R	文件：90.47 Kbytes Page：3 Pages	POWER NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SD1782 is an NPN silicon transistor. it uses UTC’s advanced technology to provide customers with high collector-emitter breakdown voltage, low collector-emitter saturation voltage and high DC current gain, etc. FEATURES * High collector-emitter breakdown voltage * Low coll 文件：90.47 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD1782L-R-AE3-R	文件：90.47 Kbytes Page：3 Pages	POWER NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SD1782 is an NPN silicon transistor. it uses UTC’s advanced technology to provide customers with high collector-emitter breakdown voltage, low collector-emitter saturation voltage and high DC current gain, etc. FEATURES * High collector-emitter breakdown voltage * Low coll 文件：90.47 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD1782SQ	文件：1.38832 Mbytes Page：4 Pages	NPN Transistor 文件：1.38832 Mbytes 页数：4 Pages	PJSEMI 平晶半导体	PJSEMI
2SD1782	文件：90.47 Kbytes Page：3 Pages	POWER NPN TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SD1782 is an NPN silicon transistor. it uses UTC’s advanced technology to provide customers with high collector-emitter breakdown voltage, low collector-emitter saturation voltage and high DC current gain, etc. FEATURES * High collector-emitter breakdown voltage * Low coll 文件：90.47 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
2SD1782	文件：571.13 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● Low VCE(sat) ● High BVCEO ● Complements the 2SB1198 文件：571.13 Kbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
2SD1782	文件：1.2037 Mbytes Page：3 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low VCE(sat) High BVCEO Complements the 2SB1198 文件：1.2037 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ

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更多2SD1782L供应商更新时间2025-12-25 11:38:00

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