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2SD1760	文件：176.72 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(50V,3A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1760	文件：163.81 Kbytes Page：3 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
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2SD1760	文件：77.01 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor50V,3A PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1760	文件：268.36 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.5V(Typ)@IC=2A ·GoodLinearityofhFE APPLICATIONS ·Powerdissipation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
2SD1760TL/Q
制造商：
ROHM Semiconductor
功能描述：
3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD1760TL/Q供应商更新时间2025-5-24 10:50:00

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