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2SD1760TLP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 3A CPT3	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1760TLQ	文件：81.97 Kbytes Page：3 Pages	Epitaxial planar type NPN silicon transistor Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：81.97 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1760TLR	文件：81.97 Kbytes Page：3 Pages	Power Transistor (50V, 3A) Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：81.97 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1760	文件：176.72 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (50V, 3A) 文件：176.72 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SD1760	文件：163.81 Kbytes Page：3 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 文件：163.81 Kbytes 页数：3 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
2SD1760	文件：153.28 Kbytes Page：4 Pages	Power Transistor (50V, 3A) Power Transistor (50V, 3A) Features 1) Low VCE(sat), VCE(sat) = 0.5V (Typ.) (IC/IB = 2A/0.2A) 2) Complements the 2SB1184 / 2SB1243 / 2SB1185. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 文件：153.28 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

产品属性

产品编号：
2SD1760TLP
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
82 @ 500mA，3V
频率 - 跃迁：
90MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
CPT3
描述：
TRANS NPN 50V 3A CPT3

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