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2SD1760TLP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 3A CPT3	Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
2SD1760	文件：440.62 Kbytes Page：2 Pages	TO-251-3LPlastic-EncapsulateTransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SD1760	文件：335.32 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1760	文件：40.3 Kbytes Page：1 Pages	MediumPowerTransistor	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1760	文件：176.72 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(50V,3A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1760	文件：163.81 Kbytes Page：3 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SD1760	文件：153.28 Kbytes Page：4 Pages	PowerTransistor(50V,3A) PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1760	文件：77.01 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor50V,3A PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1760	文件：268.36 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.5V(Typ)@IC=2A ·GoodLinearityofhFE APPLICATIONS ·Powerdissipation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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产品属性

产品编号：
2SD1760TLP
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 200mA，2A
电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
82 @ 500mA，3V
频率 - 跃迁：
90MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
CPT3
描述：
TRANS NPN 50V 3A CPT3

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更多2SD1760TLP供应商更新时间2025-5-28 16:30:00

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