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2SD1760	文件：81.97 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(50V,3A) PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1760-Q	文件：1.21183 Mbytes Page：3 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1760TLQ	文件：81.97 Kbytes Page：3 Pages	EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1760TLR	文件：81.97 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistor(50V,3A) PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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