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2SD1583	文件：220.64 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 DESCRIPTION 2SD1583-Z is designed for Audio Frequency Amplifier and Switching, especially in Hybrid Integrated Cirduits. 文件：220.64 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD1583	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Power Transistors	Renesas 瑞萨	Renesas
2SD1583-Z	文件：1.80607 Mbytes Page：6 Pages	SILICON POWER TRANSISTOR NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SD1583-Z is designed for Audio Frequency Amplifier and Switching, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • High hFE: hFE = 800 to 3200 • Low VCE(sat): VCE(sat) = 0.18 V TYP. 文件：1.80607 Mbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1583-Z	文件：42.45 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor Features ● Low VCE(sat). ● High hFE. 文件：42.45 Kbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1583-Z	文件：220.64 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 DESCRIPTION 2SD1583-Z is designed for Audio Frequency Amplifier and Switching, especially in Hybrid Integrated Cirduits. 文件：220.64 Kbytes 页数：4 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SD1583-Z	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Power Transistors	Renesas 瑞萨	Renesas

晶体管资料

型号：
2SD1583(Z)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
HI.UEB_HI.BETA
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
30V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
270MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SC3474,2SD1806,
最大耗散功率：
放大倍数：
β=800
图片代号：
A-80
vtest：
30
htest：
270000000
atest：
2
wtest：
0

技术参数

NPN/PNP：
NPN
Vcbo (V)：
30
VCEO (V)：
20
Vebo (V)：
5
IC (A) @25 °C：
2
VCE(sat) (V) max.：
0.5
hFE min.：
800
hFE max.：
3200
Pc (W)：
10
fT (MHz) typ.：
270
Cob (pF) typ.：
20
Package Type：
MP-3
Production Status：
EOL

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更多2SD1583供应商更新时间2026-1-17 16:30:00

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