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2SD1250	文件：49.14 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification) For power amplification For TV vartical deflection output Complementary to 2SD1250 and 2SD1250A ■Features ● High collector to emitter VCEO ● High collector power dissipation PC ● N type package enabling direct soldering of the radiating fin to the printed circuit board, etc. of 文件：49.14 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1250	文件：48.91 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification) Silicon NPN triple diffusion planar type For power amplification For TV vartical deflection output Complementary to 2SB928 and 2SB928A ■ Features ● High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) ● N type packag 文件：48.91 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1250	文件：295.88 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 150V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.15A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：295.88 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1250	文件：276.82 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 150V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.15A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：276.82 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1250	文件：39.51 Kbytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffusion Planar Type ■ Features ● High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) ● Complementary to 2SB928 文件：39.51 Kbytes 页数：1 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
2SD1250-251	文件：295.88 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 150V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.15A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：295.88 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1250-252	文件：276.82 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 150V(Min) ·DC Current Gain- : hFE= 60(Min)@ IC= 0.15A APPLICATIONS ·DC-DC converter,relay drivers,lamp drivers,motor drivers, inverter 文件：276.82 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1250A	文件：49.14 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification) For power amplification For TV vartical deflection output Complementary to 2SD1250 and 2SD1250A ■Features ● High collector to emitter VCEO ● High collector power dissipation PC ● N type package enabling direct soldering of the radiating fin to the printed circuit board, etc. of 文件：49.14 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1250A	文件：48.91 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN triple diffusion planar type(For power amplification) Silicon NPN triple diffusion planar type For power amplification For TV vartical deflection output Complementary to 2SB928 and 2SB928A ■ Features ● High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) ● N type packag 文件：48.91 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD1250_15	文件：1.11481 Mbytes Page：2 Pages	NPN Transistors 文件：1.11481 Mbytes 页数：2 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN

晶体管资料

型号：
2SD1250(A)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
200V
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
20MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD1033,2SC2660,2SD760,2SD1138,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
A-80
vtest：
200
htest：
20000000
atest：
2
wtest：
30

详细参数

型号：
2SD1250
制造商：
PANASONIC
制造商全称：
Panasonic Semiconductor
功能描述：
Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD1250供应商更新时间2026-4-21 14:01:00

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