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2SD1237L

Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package.

文件:1.32881 Mbytes 页数:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

2SD1238

Wide Area of Safe Operation

文件:128.4 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SD1238L

Silicon NPN Power Transistors

文件:198.68 Kbytes 页数:4 Pages

SAVANTIC

2SD1239

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:249.12 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SD1235

Trans GP BJT NPN 30V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

NJS

NJS

2SD1235

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 30V/8A High-Speed Switching Applications

ONSEMI

安森美半导体

2SD1236L

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 80V/5A Switching Applications

ONSEMI

安森美半导体

晶体管资料

  • 型号:

    2SD1230

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    110V

  • 最大电流允许值:

    8A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BDV65C,2SD1210,2SD1436K,2SD1487,

  • 最大耗散功率:

    60W

  • 放大倍数:

    β=4000

  • 图片代号:

    B-11

  • vtest:

    110

  • htest:

    999900

  • atest:

    8

  • wtest:

    60

详细参数

  • 型号:

    2SD123

  • 制造商:

    Distributed By MCM

  • 功能描述:

    SUB ONLY SANYO TRANSISTORTO3PB 110V 8A 60W BCE

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