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2SD1133	文件：111.26 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector Current: IC= 4A ·Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)= 1.0V(Max)@IC= 2A ·High Collector Power Dissipation ·Complement to Type 2SB857 APPLICATIONS ·Designed for low frequency power amplifier applications. 文件：111.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1133	文件：126.14 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB857/858 APPLICATIONS ·For low frequency power amplifier applications 文件：126.14 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1133	文件：32.92 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB857 and 2SB858 文件：32.92 Kbytes 页数：5 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SD1133	文件：145.98 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB857 and 2SB858 文件：145.98 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1133	文件：127.81 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：127.81 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1133	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 50V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	NJS 新泽西半导体	NJS
2SD1133K	文件：145.98 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application Low frequency power amplifier complementary pair with 2SB857 and 2SB858 文件：145.98 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SD1133C	文件：300 bytes Page：1 Pages	Transistor-Bipolar Power Transistors	Renesas 瑞萨	Renesas

晶体管资料

型号：
2SD1133
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
70V
最大电流允许值：
4A
最大工作频率：
7MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BD243A,BD537,BD539B,BD951,2SD526,2SD743,2SD857,2SD1035,2SD1236,2SD1778,3DD62D,
最大耗散功率：
40W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
70
htest：
7000000
atest：
4
wtest：
40

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
70V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@0.2A@2AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
50V
Maximum DC Collector Current：
4A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
40000mW
Maximum Transition Frequency：
7(Typ)MHz
Type：
NPN

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