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2SD108	文件：258.1 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Darlingtion Power Transistor DESCRIPTION • High DC current gain- : hFE = 2000 (Min) @ IC = 1A • Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)=80V(Min) • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • Power switching • Hammer drivers • Series and shunt regulator • 文件：258.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1087	文件：187.08 Kbytes Page：3 Pages	HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS. FEATURES -High DC Current Gain : hFE-1000 (Min.) (VCE-3V, IC-15A) -Low Collector Saturation Voltage : VCE (sat)=1.5V (Max.) (IC-15A) -Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistor, 文件：187.08 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SD1088	文件：173.21 Kbytes Page：3 Pages	High Voltage Darlington Power Transistor High Voltage Darlington Power Transistor NPN Type 5 Amps, 250 Voltage, 30watts 文件：173.21 Kbytes 页数：3 Pages	FCI 富加宜	FCI
2SD1088	文件：111.27 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(6A,250V,30W) HIGH VOLTAGE DARLINGTON POWER TRANSISTORS 6 AMPERE POWER DARLINGTON TRANSISTORS 250 VOLTS 30 WATTS 文件：111.27 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2SD1088	文件：163.15 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·High DC current gain ·DARLINGTON APPLICATIONS ·For switching igniter applications 文件：163.15 Kbytes 页数：5 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1088	文件：62.98 Kbytes Page：1 Pages	SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) GENERAL DESCRIPTION High voltage switching application. Igniter application. 文件：62.98 Kbytes 页数：1 Pages	WINGS 永盛电子	WINGS
2SD1088	文件：141.3 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220 package ·High DC current gain ·DARLINGTON APPLICATIONS ·For switching igniter applications 文件：141.3 Kbytes 页数：5 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1083	文件：56.18 Kbytes Page：1 Pages	SILICON NPN EPITAXIAL PLANAR POWER SWITCHING TV HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT 文件：56.18 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
2SD1088	文件：170.6 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：170.6 Kbytes 页数：5 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1085	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Application\nHigh voltage switching, igniter	HITACHI 日立	HITACHI

晶体管资料

型号：
2SD108
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
1MHZ
引脚数：
2
可代换的型号：
BDX63A,BDX65A,MJ1001,MJ3001,2N6056,2SD1124,
最大耗散功率：
50W
放大倍数：
β>1000
图片代号：
E-44
vtest：
80
htest：
1000000
atest：
5
wtest：
50

技术参数

V(BR)CEO_Min_(V)：
250
IC_(A)：
6
hFE _Min：
2000
VCE_(V)：
2
IC_(mA)：
2000
VCE(sat)(V)：
2
IC_(mA)1：
4000
IB_(mA)：
40
PTM _Max_(W)：
2
Package_Outlines：
TO-220AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SD108供应商更新时间2026-1-17 16:01:00

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