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2SD106A

Ultra-compact dual SCALE driver for IGBTs with blocking voltages up to 1200V

文件:62.74 Kbytes 页数:1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SD106AI

2SD106AI Dual SCALE Driver Core for IGBTs and Power MOSFETs

文件:210.16 Kbytes 页数:12 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SD1060

Trans GP BJT NPN 50V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220

NJS

NJS

2SD1060

Bipolar Transistor

UTC

友顺

2SD1061

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 50V/7A Switching Applications

ONSEMI

安森美半导体

2SD1060R-1EX

Package:TO-220-3;包装:带盒(TB) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 50V 5A TO220-3

ONSEMI

安森美半导体

2SD1060S-1E

Package:TO-220-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 50V 5A TO220-3

ONSEMI

安森美半导体

2SD1060S-1EX

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 50V 5A TO220-3

ONSEMI

安森美半导体

技术参数

  • Pb-free:

    Pb

  • Status:

    Active

  • Polarity:

    NPN

  • Type:

    Low VCE(sat)

  • VCE(sat) Max (V):

    0.3

  • IC Cont. (A):

    5

  • VCEO Min (V):

    50

  • VCBO (V):

    60

  • VEBO (V):

    6

  • hFE Min:

    100

  • hFE Max:

    200

  • fT Min (MHz):

    30

  • PTM Max (W):

    1.75

  • Package Type:

    TO-220-3

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更多2SD106供应商 更新时间2025-12-25 17:13:00