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2SCR586D3FRA

NPN 5.0A 80V 车载用功率晶体管

低VCE(sat)功率晶体管。适合低频放大用途。 • Suitable for Power Driver.\n• Complementary PNP Types : 2SAR586D3FRA.\n• Low VCE(sat)\nVCE(sat)=300mV(Max.).\n(IC/IB=2A/100mA);

ROHM

罗姆

2SCR586D3FRA

丝印:2SCR586D3;Package:TO-252;NPN 5.0A 80V Power Transistor

文件:1.07178 Mbytes 页数:10 Pages

ROHM

罗姆

2SCR586D3FRATL

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 80V 5A TO252

ROHM

罗姆

2SCR586D3

TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors

Features 1) Suitable for Power Driver. 2) Complementary PNP Types : 2SAR586D3. 3) Low VCE(sat) VCE(sat)=300mV(Max.). (IC/IB=2A/100mA) Application LOW FREQUENCY AMPLIFIER

文件:2.80164 Mbytes 页数:7 Pages

DGNJDZ

南晶电子

2SCR586D3

NPN 5.0A 80V Power Transistor

文件:1.72168 Mbytes 页数:11 Pages

ROHM

罗姆

技术参数

  • 封装:

    TO-252

  • 包装数量:

    2500

  • 最小独立包装数量:

    2500

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Supply Status:

    Recommended

  • Package Code:

    TO-252 (DPAK)

  • JEITA Package:

    SC-63

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    NPN

  • Collector Power dissipation PC[W]:

    10

  • Collector-Emitter voltage VCEO1[V]:

    80

  • Collector current Io(Ic) [A]:

    5

  • hFE:

    120 to 390

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    6.6x10.0 (t=2.3)

  • Common Standard:

    AEC-Q101 (Automotive Grade)

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多2SCR586D3FRA供应商 更新时间2026-1-28 14:01:00