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2SCR573D

NPN 3.0A 50V Middle Power Transistor

文件:800.3 Kbytes 页数:7 Pages

ROHM

罗姆

2SCR573D

isc Silicon NPN Power Transistor

文件:275.85 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SCR573D3

丝印:2SCR573D3;Package:TO-252;NPN 3.0A 50V Power Transistor

文件:1.69416 Mbytes 页数:11 Pages

ROHM

罗姆

2SCR573D3FRA

丝印:2SCR573D3;Package:TO-252;NPN 3.0A 50V Power Transistor

文件:1.50936 Mbytes 页数:10 Pages

ROHM

罗姆

2SCR573DFHG

丝印:CR573;Package:TO-252;NPN 3.0A 50V Middle Power Transistor

Features 1) Suitable for Middle Power Driver. 2) Complementary PNP Types : 2SAR573D FHG. 3) Low VCE(sat)   VCE(sat)=350mV(Max.).   (IC/IB=1A/50mA) Application LOW FREQUENCY AMPLIFIER

文件:1.45063 Mbytes 页数:8 Pages

ROHM

罗姆

2SCR573DA08

NPN 3.0A 50V Middle Power Transistor

文件:804.59 Kbytes 页数:7 Pages

ROHM

罗姆

2SCR573D

NPN 驱动器用晶体管

•启动用表面安装型三极管;

ROHM

罗姆

2SCR573D3FRA

NPN 3.0A 50V 车载用功率晶体管

低VCE(sat)功率晶体管。适合低频放大用途。

ROHM

罗姆

2SCR573DA08

NPN 驱动器用晶体管(支持AEC-Q101)

NPN 3.0A 50V 中功率晶体管 •启动用表面安装型三极管;

ROHM

罗姆

2SCR573D3FRATL

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 50V 3A TO252

ROHM

罗姆

技术参数

  • Status:

    新设计非推荐

  • 封装:

    CPT3

  • 包装数量:

    2500

  • 最小独立包装数量:

    2500

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Grade:

    Standard

  • Package Code:

    TO-252 (DPAK)

  • JEITA Package:

    SC-63

  • Package Size[mm]:

    6.5x9.5 (t=2.3)

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    NPN

  • Collector Power dissipation PC[W]:

    10

  • Collector-Emitter voltage VCEO1[V]:

    50.0

  • Collector current Io(Ic) [A]:

    3.0

  • hFE:

    180 to 450

  • hFE (Min.):

    180

  • hFE (Max.):

    450

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ROHM/罗母
2018+
TO-252
600000
罗母授权代理/公司可开正规17%增值税票
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50000
全新原装正品现货,支持订货
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TO-252
50000
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ROHM/罗姆
23+
TO252
7500
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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更多2SCR573D供应商 更新时间2025-12-12 8:02:00