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2SCR512RHZG	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN, SOT-346T, 30V 2A, 车载用中等功率放大用晶体管 2SCR512RHZG是一款低VCE(sat)晶体管，非常适用于低频放大应用，是符合AEC-Q101标准的车规级高可靠性产品。 • Suitable for Middle Power Driver\n• Complementary PNP Types:2SAR512RHZG\n• Low saturation voltage, typically\nVCE(sat)=400mV(Max.) (IC/IB=700mA/35mA)\n• AEC-Q101 Qualified;	ROHM 罗姆	ROHM
2SCR512RHZG	文件：1.55952 Mbytes Page：9 Pages	丝印：NB；Package：SOT-346T；NPN 2.0A 30V Middle Power Transistor Features 1)Suitable for Middle Power Driver 2)Complementary PNP Types:2SAR512R HZG 3)Low VCE(sat) VCE(sat)=400mV(Max.) (IC/IB=700mA/35mA) 4）AEC-Q101 Qualified Application LOW FREQUENCY AMPLIFIER, HIGH SPEED SWITCHING 文件：1.55952 Mbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SCR512RHZGTL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SC-96；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 30V 2A TSMT3	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
2SCR512P	文件：243.81 Kbytes Page：5 Pages	Midium Power Transistors (30V / 2A) 文件：243.81 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SCR512PFRA	文件：1.51906 Mbytes Page：8 Pages	Middle Power Transistor (30V / 2A) 文件：1.51906 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
2SCR512R	文件：1.7956 Mbytes Page：7 Pages	NPN 2.0A 30V Middle Power Transistor 文件：1.7956 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TSMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Supply Status：
Recommended
Package Code：
SOT-346T
JEITA Package：
SC-96
Number of terminal：
3
Polarity：
NPN
Collector Power dissipation PC[W]：
0.5
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
30
Collector current Io(Ic) [A]：
2
hFE：
200 to 500
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.9x2.8 (t=1)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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更多2SCR512RHZG供应商更新时间2025-10-13 12:00:00

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