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2SC6080	文件：45.64 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 50V / 13A High-Speed Switching 50V / 13A High-Speed Switching Applications Features • Adoption of MBIT process. • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. Applications • High-speed switching applications (switching regulator, driver circuit). 文件：45.64 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC6081	文件：47.02 Kbytes Page：4 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 50V / 5A High-Speed Switching 50V / 5A High-Speed Switching Applications Features • Adoption of MBIT process. • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. Applications • High-speed switching applications (switching regulator, driver circuit). 文件：47.02 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC6082	文件：242.35 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor Applications • High-speed switching applications (switching regulator, driver circuit) Features • Adoption of MBIT process • Low collector-to-emitter saturation voltage • Large current capacitance • High-speed switching 文件：242.35 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC6082	文件：46.59 Kbytes Page：4 Pages	50V / 15A High-Speed Switching Applications 50V / 15A High-Speed Switching Applications Applications • High-speed switching applications (switching regulator, driver circuit). Features • Adoption of MBIT process. • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage. • High-speed switching. 文件：46.59 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC6082	文件：275.58 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Large current capacitance • High speed switching • Low saturation voltage • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS • High speed switching applications 文件：275.58 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC6082-1E	文件：242.35 Kbytes Page：7 Pages	Bipolar Transistor Applications • High-speed switching applications (switching regulator, driver circuit) Features • Adoption of MBIT process • Low collector-to-emitter saturation voltage • Large current capacitance • High-speed switching 文件：242.35 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC6082B	文件：491.52 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistor FEATURES ·Large current capacitance ·High speed switching ·Low saturation voltage DESCRIPTION ·Switching Regulator ·Driver Circuit 文件：491.52 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC6083	文件：53.4 Kbytes Page：4 Pages	NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Switching Regulator Applications Switching Regulator Applications Features • High breakdown voltage. • High-speed switching. • Wide ASO. • Adoption of MBIT process. 文件：53.4 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC6083A	文件：53.38 Kbytes Page：4 Pages	NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Switching Regulator Applications Switching Regulator Applications Features • High breakdown voltage. • High-speed switching. • Wide ASO. • Adoption of MBIT process. 文件：53.38 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC6084	文件：347.3 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 800V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat):3V(Max) @IC= 2.7A APPLICATIONS · Switching Regulators · Motor drivers ,LED driver,Power supply 文件：347.3 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

产品属性

产品编号：
2SC6082-1E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 375mA，7.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 330mA，2V
频率 - 跃迁：
195MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220F-3SG
描述：
TRANS NPN 50V 15A TO220F-3SG

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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