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2SC6026CT	文件：151.69 Kbytes Page：3 Pages	General Purpose Amplifier Applications GeneralPurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=100mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=120to400 •Complementaryto2SA2154CT	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC6026CT-GR,L3F	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-101，SOT-883 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.1A CST3	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SC6026CT-Y(TPL3)	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-101，SOT-883 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 0.1A CST3	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2SC6026	文件：132.56 Kbytes Page：3 Pages	SiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess)General-PurposeAmplifierApplications General-PurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent :VCEO=50V,IC=100mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=120~400 •Complementaryto2SA2154 •Lead(Pb)free	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC6026MFV	文件：254.82 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess) General-PurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=120to400 •Complementaryto2SA2154MFV	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC6026MFV	文件：154.13 Kbytes Page：4 Pages	General-PurposeAmplifierApplications General-PurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=120to400 •Complementaryto2SA2154MFV	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC6026MFV	文件：154.13 Kbytes Page：4 Pages	General-PurposeAmplifierApplications General-PurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=120to400 •Complementaryto2SA2154MFV	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC6026MFV-GR	文件：154.13 Kbytes Page：4 Pages	General-PurposeAmplifierApplications General-PurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=120to400 •Complementaryto2SA2154MFV	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝
2SC6026MFV-Y	文件：154.13 Kbytes Page：4 Pages	General-PurposeAmplifierApplications General-PurposeAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95(typ.) •HighhFE:hFE=120to400 •Complementaryto2SA2154MFV	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝

详细参数

型号：
2SC6026CT
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
General Purpose Amplifier Applications

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市芯祺盛科技有限公司	2SC6026CT	TOSHIBA/东芝	2019+PBHF	SOD883	7318	向鸿代理渠道,有现货常备料,优势料	询价
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