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2SC5754-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-343F；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F	CEL	CEL
2SC5754	文件：222.03 Kbytes Page：15 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (0.4 W) FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04) FEATURES • Ideal for 460 MHz to 2.4 GHz medium output power amplification • PO (1 dB) = 26.0 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, f = 1.8 GHz, Pin = 15 dBm • High collector efficiency: 文件：222.03 Kbytes 页数：15 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5754	文件：1.93544 Mbytes Page：12 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (0.4 W) NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (0.4 W) FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04) FEATURES • Ideal for 460 MHz to 2.4 GHz medium output power amplification • PO (1 dB) = 26.0 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, f = 1.8 GHz, Pin = 15 dBm • High collector efficiency: η 文件：1.93544 Mbytes 页数：12 Pages	CEL	CEL
2SC5754	文件：89.38 Kbytes Page：13 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (0.4 W) FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04) NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (0.4 W) FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04) FEATURES • Ideal for 460 MHz to 2.4 GHz medium output power amplification • PO (1 dB) = 26.0 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, f = 1.8 GHz, Pin = 15 dBm • High collector efficiency: η 文件：89.38 Kbytes 页数：13 Pages	NEC 瑞萨	NEC

产品属性

产品编号：
2SC5754-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
5V
频率 - 跃迁：
20GHz
增益：
12dB
功率 - 最大值：
735mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 100mA，3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
500mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-343F
描述：
RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F

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