2SC5754分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
2SC5754 |
参数属性 | 2SC5754 封装/外壳为SOT-343F;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F |
功能描述 | NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (0.4 W) |
文件大小 |
1.93544 Mbytes |
页面数量 |
12 页 |
生产厂商 | California Eastern Laboratories |
企业简称 |
CEL |
中文名称 | California Eastern Laboratories官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-31 22:58:00 |
2SC5754规格书详情
NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR
MEDIUM OUTPUT POWER AMPLIFICATION (0.4 W)
FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M04)
FEATURES
• Ideal for 460 MHz to 2.4 GHz medium output power amplification
• PO (1 dB) = 26.0 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, f = 1.8 GHz, Pin = 15 dBm
• High collector efficiency: ηC = 60
• UHS0-HV technology (fT = 25 GHz) adopted
• High reliability through use of gold electrodes
• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M04) package
2SC5754属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。California Eastern Laboratories制造生产的2SC5754晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号:
2SC5754-T2-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
5V
- 频率 - 跃迁:
20GHz
- 增益:
6.5dB
- 功率 - 最大值:
735mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 100mA,3V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
500mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SOT-343F
- 供应商器件封装:
SOT-343F
- 描述:
RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
2016+ |
SOT-343 |
6000 |
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询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT343 |
100586 |
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RENESAS/瑞萨 |
21+ |
SOT343 |
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NEC |
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SOT343 |
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NEC |
2023+ |
SOT343 |
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NEC |
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SOT343 |
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NEC |
24+ |
SOT343-4 |
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RENESAS/瑞萨 |
2022 |
SOT343 |
80000 |
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NEC |
2008++ |
SOT-343SOT-323-4 |
9200 |
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