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2SC5714	文件：112.88 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications • High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.5 A) • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.15 V (max) • High-speed switching: tf = 90 ns (typ.) 文件：112.88 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5714	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5714	文件：139.58 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type 文件：139.58 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5714	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for high-speed switching applications Application Scope：Camera flashes / DC/DC converters / Mobile equipment power supplies\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current IC 4 A \nCollector Current ICP 7 A \nCollector power dissipation (mounted on FR4 board (Cu 645mm**2, glass-epoxy t=1.6mm)) PC 2.5 W \nCollector-emitter voltage VCEO 20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SC5714_06	文件：139.58 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type 文件：139.58 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5714(TE12L,ZF)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 4A PW-MINI	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

技术参数

Polarity：
NPN
Features：
Low Satulation Voltage
VCEO(Max)(V)：
20
IC(Max)(A)：
4
hFE(Min)：
400
hFE(Max)：
1000
VCE(sat)(Max)(V)：
0.15
Number of pins：
3
Surface mount package：
Y
Package name：
PW-Mini
Width×Length×Height(mm)：
4.6 x 4.2 x 1.6

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更多2SC5714供应商更新时间2025-12-5 9:36:00

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