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2SC5714	文件：112.88 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type High-SpeedSwitchingApplications DC-DCConverterApplications StrobeApplications •HighDCcurrentgain:hFE=400to1000(IC=0.5A) •Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=0.15V(max) •High-speedswitching:tf=90ns(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC5714	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC5714	文件：139.58 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC5714_06	文件：139.58 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Epitaxial Type	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC5714(TE12L,ZF)	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 20V 4A PW-MINI	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage

更多2SC5714供应商更新时间2025-7-27 9:36:00