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2SC5706	文件：45.91 Kbytes Page：2 Pages	POWER TRANSISTOR(5A,50V,15W) NPNSiliconPowerTransistors DPAKSurfaceMountPowerPackage TheDPAKPowertransistorisusedbygeneralpurposeamplifiers,relaydrives,lmapdrives,motordrivers,andhighspeedswitchingapplications.	MOSPEC MOSPEC
2SC5706	文件：40.18 Kbytes Page：5 Pages	High Current Switching Applications HighCurrentSwitchingApplications Features •AdoptionofFBET,MBITprocess. •Largecurrentcapacitance. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •High-speedswitching. •Highallowablepowerdissipation. Applications •DC-DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motordrivers,	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
2SC5706	文件：190.03 Kbytes Page：5 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Features: Largecurrentcapacitance Lowcollector-to-emittersaturationvoltage High-speedswitching Highallowabledissipation	WEITRONWEITRON 威堂電子科技
2SC5706	文件：514.82 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-220PlasticPackage. Features Lowcollector-to-emittersaturationvoltage,high-speedswitching,highallowablepowerdissipation. Applications DC-DCconverter,relaydrivers,lampdriversmotordrivers.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司
2SC5706	文件：424.78 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA BipolarTransistor (-)50V,(-)5A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features •AdoptionofFBETandMBITprocesses •Largecurrentcapacitance •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •High-speedswitching •Highallowablepowerdissipation Applications •DC/DCconverter,rel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2SC5706	文件：335.96 Kbytes Page：3 Pages	isc Silicon NPN Power Transistors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
2SC5706	文件：67.01 Kbytes Page：5 Pages	High Current Switching Applications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
2SC5706	文件：507.53 Kbytes Page：10 Pages	High-Current Switching Applications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社
2SC5706D	文件：497.24 Kbytes Page：3 Pages	NPN Silicon General Purpose Transistor FEATURES •Largecurrentcapacitance •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •High-speedswitching •Highallowablepowerdissipation	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
2SC5706-E	文件：424.78 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA BipolarTransistor (-)50V,(-)5A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features •AdoptionofFBETandMBITprocesses •Largecurrentcapacitance •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •High-speedswitching •Highallowablepowerdissipation Applications •DC/DCconverter,rel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2SC5706-H	文件：424.78 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA BipolarTransistor (-)50V,(-)5A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features •AdoptionofFBETandMBITprocesses •Largecurrentcapacitance •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •High-speedswitching •Highallowablepowerdissipation Applications •DC/DCconverter,rel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2SC5706-TL-E	文件：424.78 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA BipolarTransistor (-)50V,(-)5A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features •AdoptionofFBETandMBITprocesses •Largecurrentcapacitance •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •High-speedswitching •Highallowablepowerdissipation Applications •DC/DCconverter,rel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2SC5706-TL-H	文件：424.78 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)5A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA BipolarTransistor (-)50V,(-)5A,LowVCE(sat),(PNP)NPNSingleTP/TP-FA Features •AdoptionofFBETandMBITprocesses •Largecurrentcapacitance •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage •High-speedswitching •Highallowablepowerdissipation Applications •DC/DCconverter,rel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2SC5706-E	文件：424.78 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2SC5706-H	文件：424.78 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2SC5706-TL-E	文件：424.78 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2SC5706-TL-H	文件：424.78 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2SC5706-H	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 50V 5A TP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2SC5706-P-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 5A TP	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
2SC5706-P-TL-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 100V 5A TPFA	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

详细参数

型号：
2SC5706
功能描述：
两极晶体管 - BJT BIP NPN 5A 50V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC5706供应商更新时间2024-4-23 16:18:00

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