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|---|---|---|---|---|
2SC5606-A | NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE 쨌 HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD (19, 1608 PKG) FEATURES • Suitable for high-frequency oscillation • fT = 25 GHz technology adopted • 3-pin ultra super minimold (19, 1608 PKG) package 文件：329.12 Kbytes 页数：6 Pages | CEL | CEL | |
2SC5606-A | NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE HIGH-GAIN AMPLIFICATION FEATURES • Suitable for high-frequency oscillation • fT = 25 GHz technology adopted • 3-pin ultra super minimold (19, 1608 PKG) package 文件：201.6 Kbytes 页数：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | |
2SC5606-A | NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE 쨌 HIGH-GAIN AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD (19, 1608 PKG) 文件：73.96 Kbytes 页数：7 Pages | NEC 瑞萨 | NEC | |
2SC5606-A | Package：SOT-523；包装：托盘 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 描述：RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523 | CEL | CEL |
产品属性
- 产品编号：
2SC5606-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
3.3V
- 频率 - 跃迁：
21GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.2dB @ 2GHz
- 增益：
12.5dB
- 功率 - 最大值：
115mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 5mA，2V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
35mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-523
- 描述：
RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CEL |
2022+ |
- |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT-523 |
156200 |
新进库存/原装 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT-523 |
5000 |
全现原装公司现货 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SOT-523 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NEC |
23+24 |
SOT323 |
28950 |
专营原装正品SMD二三极管,电源IC |
询价 | ||
NEC |
25+ |
SOT-523 |
90000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2023+ |
SOT-423 |
1320 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
询价 | ||
RENESAS/原装 |
2023+ |
SOT-423 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
56000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
NEC |
23+ |
SOT523 |
1992 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
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