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2SC5569	文件：359.86 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)7A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET and MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package facilitales miniaturization in end products • High allowable power dissipation Applicaitons • Relay drivers, l 文件：359.86 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5569	文件：50.27 Kbytes Page：5 Pages	DC/DC Converter Applications DC / DC Converter Applications Features • Adoption of FBET and MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package facilitales miniaturization in end products • High allowable power dissipation Applicaitons • 文件：50.27 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC5569	文件：172.01 Kbytes Page：4 Pages	DC/DC CONVERTER APPLICATIONS DC/DC CONVERTER APPLICATIONS FEATURES High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. High allowable power dissipation. Complementary to 2SA2016. APPLICATIONS Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes 文件：172.01 Kbytes 页数：4 Pages	UTC 友顺	UTC
2SC5569	文件：472.41 Kbytes Page：8 Pages	DC / DC Converter Applications 文件：472.41 Kbytes 页数：8 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC5569	文件：63.52 Kbytes Page：5 Pages	DC / DC Converter Applications 文件：63.52 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC5569	文件：467.68 Kbytes Page：8 Pages	DC / DC Converter Applications 文件：467.68 Kbytes 页数：8 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC5569-TD-E	文件：472.41 Kbytes Page：8 Pages	丝印：2SC5569；Package：PCP；DC / DC Converter Applications 文件：472.41 Kbytes 页数：8 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC5569	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管，50V，7A，低 VCE(sat)，(PNP)NPN 单 PCP 2SC5569 is a Bipolar Transistor, 50V, 7A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP for DC-DC Converter Applications. • Adoption of FBET and MBIT processes\n• Large current capacity\n• Low collector-to-emitter saturation voltage\n• High-speed switching\n• Ultrasmall package facilitales miniaturization in end products\n• High allowable power dissipation;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5569	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Transistor	UTC 友顺	UTC
2SC5569-TD-E	文件：359.86 Kbytes Page：8 Pages	Bipolar Transistor (-)50V, (-)7A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP Features • Adoption of FBET and MBIT processes • Large current capacity • Low collector-to-emitter saturation voltage • High-speed switching • Ultrasmall package facilitales miniaturization in end products • High allowable power dissipation Applicaitons • Relay drivers, l 文件：359.86 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
Low VCE(sat)
VCE(sat) Max (V)：
0.24
IC Cont. (A)：
7
VCEO Min (V)：
50
VCBO (V)：
100
VEBO (V)：
6
VBE(sat) (V)：
0.83
hFE Min：
560
hFE Max：
200
fT Min (MHz)：
330
PTM Max (W)：
1.3
Package Type：
SOT-89/PCP-1

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