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2SC5439	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5439	文件：178.84 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220F package • High collector breakdown voltage • Excellent switching times APPLICATIONS • Switching regulator applications • High voltage switching applications • DC-DC converter applications • Inverter lighting applications 文件：178.84 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC5439	文件：206.83 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220F package • High collector breakdown voltage • Excellent switching times APPLICATIONS • Switching regulator applications • High voltage switching applications • DC-DC converter applications • Inverter lighting applications 文件：206.83 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SC5439	文件：158.75 Kbytes Page：3 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE (SWITCHING REGULATOR, HIGH VOLTA SWITCHINGM DC-DC CONVERTER, INVERTER LIGHTING APPLICATIONS) Switching Regulator Applications High-Voltage Switching Applications DC-DC Converter Applications Inverter Lighting Applications • Excellent switching times: tr = 0.2 μs (typ.), tf = 0.15 μs (typ.) • High collector breakdown voltage: VCEO = 450 V 文件：158.75 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5439	文件：265.18 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-220F package • High collector breakdown voltage • Excellent switching times APPLICATIONS • Switching regulator applications • High voltage switching applications • DC-DC converter applications • Inverter lighting applications 文件：265.18 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC5439	文件：266.84 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：266.84 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC5439	文件：140.95 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Type Switching Regulator Applications 文件：140.95 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5439	文件：206.83 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：206.83 Kbytes 页数：4 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SC5439	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for high-speed switching applications Application Scope：Switching regulators\nPolarity：NPN\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available Collector Current IC 8 A \nCollector power dissipation PC 30 W \nCollector-Base Voltage VCBO 1000 V \nCollector-emitter voltage VCEO 450 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
2SC5439	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 450V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
2SC5439
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
1000V
最大电流允许值：
8A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BUF405AFI,BUT12AF,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
1000
htest：
999900
atest：
8
wtest：
30

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
1000V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1@0.046A@3.2AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
450V
Maximum DC Collector Current：
8A
Maximum Emitter Base Voltage：
9V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
2000mW
Type：
NPN

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