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2SC5415AE-TD-E	文件：296.02 Kbytes Page：8 Pages	RF Transistor 12V, 100mA, fT=6.7GHz, NPN Single PCP Features • High gain : ⏐S21e⏐2=9dB typ (f=1GHz) • High cut-off frequency : fT=6.7GHz typ 文件：296.02 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5415AE-TD-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5415AF-TD-E	文件：296.02 Kbytes Page：8 Pages	RF Transistor 12V, 100mA, fT=6.7GHz, NPN Single PCP Features • High gain : ⏐S21e⏐2=9dB typ (f=1GHz) • High cut-off frequency : fT=6.7GHz typ 文件：296.02 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5415	文件：47.07 Kbytes Page：6 Pages	High-Frequency Low-Noise Amplifier Applications High-Frequency Low-Noise Amplifier Applications Features · High gain : \|S21e\|2=9dB typ (f=1GHz). · High cutoff frequency : fT=6.7GHz typ. 文件：47.07 Kbytes 页数：6 Pages	SANYO 三洋	SANYO
2SC5415A	文件：296.02 Kbytes Page：8 Pages	RF Transistor 12V, 100mA, fT=6.7GHz, NPN Single PCP Features • High gain : ⏐S21e⏐2=9dB typ (f=1GHz) • High cut-off frequency : fT=6.7GHz typ 文件：296.02 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
2SC5415A	文件：398.96 Kbytes Page：8 Pages	High-Frequency Low-Noise Amplifier Applications 文件：398.96 Kbytes 页数：8 Pages	SANYO 三洋	SANYO

产品属性

产品编号：
2SC5415AE-TD-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
6.7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.1dB @ 1GHz
增益：
9dB
功率 - 最大值：
800mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
90 @ 30mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
100mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
PCP
描述：
RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP

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更多2SC5415AE供应商更新时间2025-12-26 10:07:00

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