High-Frequency Low-Noise Amplifier Applications

High-Frequency Low-Noise Amplifier Applications Features • High gain : ⏐S21e⏐2=9.5dB typ (f=1GHz). • High cut-off frequency : fT=6.7GHz typ.

文件：54.48 Kbytes 页数：6 Pages

SANYO

三洋

High-Frequency Low-Noise Amplifier Applications

ONSEMI

安森美半导体

TRANS NPN 0.1A 12V

ONSEMI

安森美半导体

TRANS NPN 0.1A 12V

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 12V 0.1A 3NP

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 12V 0.1A 3NP

ONSEMI

安森美半导体

Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 12V 0.1A 3NP

ONSEMI

安森美半导体