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2SC5337-AZ	文件：877.51 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon RF Transistor for High-Frequency Low Distortion Amplifier 4-Pin Power Minimold FEATURES • Low distortion: IM2 = 59.0 dB TYP., IM3 = 82.0 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 50 mA • Low noise NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 50 mA, f = 500 MHz NF = 2.0 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 50 mA, f = 1 GHz • 4-pin power minimold package with improved gain from the 2SC4536 文件：877.51 Kbytes 页数：6 Pages	CEL	CEL
2SC5337-AZ	文件：104.95 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor for High-Frequency FEATURES • Low distortion: IM2 = 59.0 dB TYP., IM3 = 82.0 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 50 mA • Low noise NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 50 mA, f = 500 MHz NF = 2.0 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 50 mA, f = 1 GHz • 4-pin power minimold package with improved gain from the NE46134 / 2SC45 文件：104.95 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SC5337-AZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 15V SOT89	CEL	CEL
2SC5337	文件：59.55 Kbytes Page：8 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER DESCRIPTION The 2SC5337 is a high-frequency transistor designed for a low distortion and low noise amplifier on the VHF to UHF band, which is suitable for the CATV, tele-communication, and such. FEATURES • Low distortion IM2 = 59 dB TYP. @VCE = 10 V, 文件：59.55 Kbytes 页数：8 Pages	NEC 瑞萨	NEC
2SC5337	文件：877.51 Kbytes Page：6 Pages	NPN Silicon RF Transistor for High-Frequency Low Distortion Amplifier 4-Pin Power Minimold FEATURES • Low distortion: IM2 = 59.0 dB TYP., IM3 = 82.0 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 50 mA • Low noise NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 50 mA, f = 500 MHz NF = 2.0 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 50 mA, f = 1 GHz • 4-pin power minimold package with improved gain from the 2SC4536 文件：877.51 Kbytes 页数：6 Pages	CEL	CEL
2SC5337	文件：104.95 Kbytes Page：7 Pages	NPN Silicon RF Transistor for High-Frequency FEATURES • Low distortion: IM2 = 59.0 dB TYP., IM3 = 82.0 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 50 mA • Low noise NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 50 mA, f = 500 MHz NF = 2.0 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 50 mA, f = 1 GHz • 4-pin power minimold package with improved gain from the NE46134 / 2SC45 文件：104.95 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

产品属性

产品编号：
2SC5337-AZ
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
15V
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
2dB @ 1GHz
增益：
8.3dB
功率 - 最大值：
2W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 50mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
250mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
描述：
RF TRANS NPN 15V SOT89

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