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2SC5337分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SC5337

参数属性

2SC5337 封装/外壳为TO-243AA;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 15V SOT89

功能描述

NPN Silicon RF Transistor for High-Frequency Low Distortion Amplifier 4-Pin Power Minimold
RF TRANS NPN 15V SOT89

封装外壳

TO-243AA

文件大小

877.51 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

CEL

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数据手册

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更新时间

2025-10-31 12:27:00

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2SC5337规格书详情

2SC5337属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由California Eastern Labs制造生产的2SC5337晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

FEATURES

• Low distortion: IM2 = 59.0 dB TYP., IM3 = 82.0 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 50 mA

• Low noise

NF = 1.5 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 50 mA, f = 500 MHz

NF = 2.0 dB TYP. @ VCE = 10 V, IC = 50 mA, f = 1 GHz

• 4-pin power minimold package with improved gain from the 2SC4536

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2SC5337-AZ

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    15V

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    2dB @ 1GHz

  • 增益:

    8.3dB

  • 功率 - 最大值:

    2W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 50mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    250mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V SOT89

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