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2SC5347AE-TD-E

High-Frequency Semi-Power Output Stage, Low-Noise Medium Output Amplifi er Applications

High-Frequency Semi-Power Output Stage, Low-Noise Medium Output Amplifier Applications Features • High-frequency medium output amplification (VCE=5V, IC=50mA) : fT=4.7GHz typ (f=1GHz) : |S21e|2=8dB typ (f=1GHz) : NF=1.8dB typ (f=1GHz)

文件:421.18 Kbytes 页数:8 Pages

SANYO

三洋

2SC5347AE-TD-E

RF Transistor 12V, 150mA, fT=4.7GHz, NPN Single PCP

文件:318.02 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SC5347AE-TD-E

Package:TO-243AA;包装:带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCP

ONSEMI

安森美半导体

2SC5347AF-TD-E

RF Transistor 12V, 150mA, fT=4.7GHz, NPN Single PCP

文件:318.02 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2SC5347AF-TD-E

High-Frequency Semi-Power Output Stage, Low-Noise Medium Output Amplifi er Applications

High-Frequency Semi-Power Output Stage, Low-Noise Medium Output Amplifier Applications Features • High-frequency medium output amplification (VCE=5V, IC=50mA) : fT=4.7GHz typ (f=1GHz) : |S21e|2=8dB typ (f=1GHz) : NF=1.8dB typ (f=1GHz)

文件:421.18 Kbytes 页数:8 Pages

SANYO

三洋

产品属性

  • 产品编号:

    2SC5347AE-TD-E

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    4.7GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.8dB @ 1GHz

  • 增益:

    8dB

  • 功率 - 最大值:

    1.3W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    90 @ 50mA,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    150mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    PCP

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ON/安森美
2019+
SOT89
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更多2SC5347AE-TD-E供应商 更新时间2025-12-11 9:42:00