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2SC5200OTU	文件：205.6 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 1.HighCurrentCapability:IC=17A. 2.HighPowerDissipation:150watts. 3.HighFrequency:30MHz. 4.HighVoltage:VCEO=250V 5.WideS.O.Aforreliableoperation. 6.ExcellentGainLinearityforlowTHD. 7.Complementto2SA1943/FJL4215.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC5200OTU	文件：238.11 Kbytes Page：7 Pages	Marking：C5200O；Package：TO-264；NPN Epitaxial Silicon Transistor Features •HighCurrentCapability:IC=17A. •HighPowerDissipation:150watts. •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=250V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SA1943/FJL4215. •ThermalandelectricalSpicemodelsareav	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5200RTU	文件：205.6 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 1.HighCurrentCapability:IC=17A. 2.HighPowerDissipation:150watts. 3.HighFrequency:30MHz. 4.HighVoltage:VCEO=250V 5.WideS.O.Aforreliableoperation. 6.ExcellentGainLinearityforlowTHD. 7.Complementto2SA1943/FJL4215.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2SC5200RTU	文件：238.11 Kbytes Page：7 Pages	Marking：C5200R；Package：TO-264；NPN Epitaxial Silicon Transistor Features •HighCurrentCapability:IC=17A. •HighPowerDissipation:150watts. •HighFrequency:30MHz. •HighVoltage:VCEO=250V •WideS.O.Aforreliableoperation. •ExcellentGainLinearityforlowTHD. •Complementto2SA1943/FJL4215. •ThermalandelectricalSpicemodelsareav	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2SC5200_04	文件：127.51 Kbytes Page：4 Pages	Power Amplifier Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SC5200_15	文件：177.43 Kbytes Page：4 Pages	POWER AMPLIFIER APPLICATIONS DRIVER STAGE AMPLIFIER	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SC5200_18	文件：281.75 Kbytes Page：2 Pages	150 Watt Silicon Epitaxial Planar NPN Power Transistor	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
2SC5200A	文件：330.15 Kbytes Page：5 Pages	Power Amplifier Applications	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
2SC5200A-O-AB-N-B	文件：571.19 Kbytes Page：8 Pages	Marking：2SC5200；Package：TO-3PB；Silicon NPN Triple Diffused Transistor	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
2SC5200A-O-AL-N-B	文件：571.19 Kbytes Page：8 Pages	Marking：2SC5200；Package：TO-3PL(T)；Silicon NPN Triple Diffused Transistor	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC

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产品属性

产品编号：
2SC5200
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 800mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：
5µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
55 @ 1A，5V
频率 - 跃迁：
30MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装：
TO-264
描述：
TRANS NPN 230V 15A TO264

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更多2SC5200供应商更新时间2025-5-29 16:10:00

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