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2SC5129	文件：210.12 Kbytes Page：4 Pages	NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE (HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV. HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS) 文件：210.12 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC5129	文件：167.71 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3P(H)IS package • High speed • High voltage • Low saturation voltage APPLICATIONS • Horizontal deflection output for high resolution display,colorTV • High speed switching applications 文件：167.71 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SC5129	文件：47.23 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3P(H)IS package • High speed • High voltage • Low saturation voltage APPLICATIONS • Horizontal deflection output for high resolution display,colorTV • High speed switching applications 文件：47.23 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SC5129	文件：280.97 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION • With TO-3P(H)IS package • High speed • High voltage • Low saturation voltage APPLICATIONS • Horizontal deflection output for high resolution display,colorTV • High speed switching applications 文件：280.97 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC5129	文件：282.59 Kbytes Page：4 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：282.59 Kbytes 页数：4 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SC5129	文件：127.16 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：127.16 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
2SC5129	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(HIS)	NJS 新泽西半导体	NJS
2SC5129_15	文件：47.23 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Power Transistors 文件：47.23 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
2SC5129_2015	文件：47.23 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Power Transistors 文件：47.23 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC

晶体管资料

型号：
2SC5129
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
DISPLAY_行输出（HA）_HI_RES
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
1500V
最大电流允许值：
10A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BU2520AF,BUH715,2SC4542,
最大耗散功率：
50W
放大倍数：
图片代号：
B-15
vtest：
1500
htest：
999900
atest：
10
wtest：
50

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
1500V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
3@1.5A@6AV
Maximum Collector Emitter Voltage：
600V
Maximum DC Collector Current：
10A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Power Dissipation：
50000mW
Maximum Transition Frequency：
1.7(Typ)MHz
Type：
NPN

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