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2SC5122	文件：131.69 Kbytes Page：2 Pages	NPNTRIPLEDIFFUSEDTYPE(HIGHVOLTAGESWITCHINGAPPLICATIONS) High-VoltageswitchingApplications •Highbreakdownvoltage:VCEO=400V •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(typ.) (IC=20mA,IB=0.5mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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2SC5122

文件：131.69 Kbytes

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NPNTRIPLEDIFFUSEDTYPE(HIGHVOLTAGESWITCHINGAPPLICATIONS)

High-VoltageswitchingApplications •Highbreakdownvoltage:VCEO=400V •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.4V(typ.) (IC=20mA,IB=0.5mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

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TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

2SC5122

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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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东芝株式会社東芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
2SC5122(F)
制造商：
Toshiba
功能描述：
NPN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多2SC5122(F)供应商更新时间2024-5-24 10:53:00

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